RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Porównaj
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Wynik ogólny
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
51
Wokół strony -183% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
1,839.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
18
Prędkość odczytu, GB/s
4,246.9
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,839.1
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
721
3536
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
INTENSO 5641162 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link