RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.2
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2636
3178
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
AMD R7416G2400U2S 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link