Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    34 left arrow 52
    Wokół strony 35% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    20.5 left arrow 16.2
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    10.1 left arrow 9.7
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    17000 left arrow 10600
    Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    34 left arrow 52
  • Prędkość odczytu, GB/s
    16.2 left arrow 20.5
  • Prędkość zapisu, GB/s
    9.7 left arrow 10.1
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2636 left arrow 2472
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania