Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Pontuação geral
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Pontuação geral
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Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    34 left arrow 52
    Por volta de 35% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    20.5 left arrow 16.2
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    10.1 left arrow 9.7
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 10600
    Por volta de 1.6 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    34 left arrow 52
  • Velocidade de leitura, GB/s
    16.2 left arrow 20.5
  • Velocidade de escrita, GB/s
    9.7 left arrow 10.1
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2636 left arrow 2472
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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