RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
34
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.2
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2636
3463
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Inmos + 256MB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link