RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
35
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
35
Prędkość odczytu, GB/s
16.2
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2636
3191
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link