RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
34
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2565
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link