RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
28
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
11.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
21
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.1
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2581
3567
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link