RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
35
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3090
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link