RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
34
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.2
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2636
1897
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kllisre 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Jinyu 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link