RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
6.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
29
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
23
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
6.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
2130
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link