RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
33
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
12.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
3462
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link