RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
32
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
2779
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology C 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link