RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2988
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link