RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
29
Por volta de 10% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
29
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
12.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2988
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link