RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
29
Por volta de 10% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
29
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
12.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2988
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link