RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
3648
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link