RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
29
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
17
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
22.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
3704
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F2-6400PHU1-1GBHZ 1GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link