RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
104
Wokół strony -271% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
6400
Wokół strony 3.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
23400
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
no data
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3419
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link