RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
29
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
20
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
3234
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link