RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
19200
Wokół strony 1.22 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
23400
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
3245
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link