RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
3049
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link