RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
52
Wokół strony 44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
52
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
2169
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link