RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
66
Wokół strony 56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
66
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
7.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
1820
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C8 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Inmos + 256MB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link