Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Inmos + 256MB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Inmos + 256MB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    4 left arrow 11.5
    Średnia wartość w badaniach
Inmos + 256MB Powody do rozważenia
Inmos + 256MB
Zgłoś błąd
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    30 left arrow 60
    Wokół strony -100% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    9.1 left arrow 2,168.2
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    16800 left arrow 5300
    Wokół strony 3.17 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Inmos + 256MB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    60 left arrow 30
  • Prędkość odczytu, GB/s
    4,595.2 left arrow 11.5
  • Prędkość zapisu, GB/s
    2,168.2 left arrow 9.1
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    5300 left arrow 16800
Other
  • Opis
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow no data
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    941 left arrow 2318
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania