Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Inmos + 256MB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Inmos + 256MB

Gesamtnote
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Gesamtnote
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Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

Unterschiede

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4 left arrow 11.5
    Durchschnittswert bei den Tests
Inmos + 256MB Gründe für die Berücksichtigung
Inmos + 256MB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    30 left arrow 60
    Rund um -100% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.1 left arrow 2,168.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    16800 left arrow 5300
    Rund um 3.17 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Inmos + 256MB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    60 left arrow 30
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4,595.2 left arrow 11.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,168.2 left arrow 9.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    5300 left arrow 16800
Other
  • Beschreibung
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow no data
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    941 left arrow 2318
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RAM 1
RAM 2

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