RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Inmos + 256MB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Inmos + 256MB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Inmos + 256MB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Inmos + 256MB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
60
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
2,168.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
16800
5300
Rund um 3.17 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Inmos + 256MB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
11.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
9.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
16800
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
no data
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
2318
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Inmos + 256MB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link