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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Inmos + 256MB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Inmos + 256MB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Inmos + 256MB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
11.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Inmos + 256MB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
60
En -100% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
2,168.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
16800
5300
En 3.17 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Inmos + 256MB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
30
Velocidad de lectura, GB/s
4,595.2
11.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
16800
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
no data
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
941
2318
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Inmos + 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
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