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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Inmos + 256MB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Inmos + 256MB

Puntuación global
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Puntuación global
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Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    4 left arrow 11.5
    Valor medio en las pruebas
Inmos + 256MB Razones a tener en cuenta
Inmos + 256MB
Informar de un error
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    30 left arrow 60
    En -100% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.1 left arrow 2,168.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    16800 left arrow 5300
    En 3.17 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Inmos + 256MB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    60 left arrow 30
  • Velocidad de lectura, GB/s
    4,595.2 left arrow 11.5
  • Velocidad de escritura, GB/s
    2,168.2 left arrow 9.1
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    5300 left arrow 16800
Other
  • Descripción
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow no data
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    941 left arrow 2318

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM

Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB

Inmos + 256MB Comparaciones de la memoria RAM

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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