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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Inmos + 256MB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Inmos + 256MB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Inmos + 256MB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Inmos + 256MB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
60
左右 -100% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.1
2,168.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
16800
5300
左右 3.17 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Inmos + 256MB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
30
读取速度,GB/s
4,595.2
11.5
写入速度,GB/s
2,168.2
9.1
内存带宽,mbps
5300
16800
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
no data
排名PassMark (越多越好)
941
2318
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Inmos + 256MB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
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Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
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