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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
比较
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
总分
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
总分
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
差异
规格
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差异
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
29
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
25
读取速度,GB/s
14.3
15.0
写入速度,GB/s
10.1
11.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2227
2549
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
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