Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Inmos + 256MB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Inmos + 256MB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

Различия

  • Выше скорость чтения
    4 left arrow 11.5
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    30 left arrow 60
    Около -100% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    9.1 left arrow 2,168.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    16800 left arrow 5300
    Около 3.17 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Inmos + 256MB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    60 left arrow 30
  • Скорость чтения, Гб/сек
    4,595.2 left arrow 11.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,168.2 left arrow 9.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 16800
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow no data
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    941 left arrow 2318
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения