RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Inmos + 256MB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Inmos + 256MB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Inmos + 256MB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
11.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Inmos + 256MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
60
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.1
2,168.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
16800
5300
Около 3.17 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Inmos + 256MB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
30
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
11.5
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
16800
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
no data
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
2318
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Inmos + 256MB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link