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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Inmos + 256MB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Inmos + 256MB

Pontuação geral
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Pontuação geral
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Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    4 left arrow 11.5
    Valor médio nos testes
Inmos + 256MB Razões a considerar
Inmos + 256MB
Relatar um erro
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    30 left arrow 60
    Por volta de -100% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    9.1 left arrow 2,168.2
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    16800 left arrow 5300
    Por volta de 3.17 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Inmos + 256MB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    60 left arrow 30
  • Velocidade de leitura, GB/s
    4,595.2 left arrow 11.5
  • Velocidade de escrita, GB/s
    2,168.2 left arrow 9.1
  • Largura de banda de memória, mbps
    5300 left arrow 16800
Other
  • Descrição
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow no data
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    941 left arrow 2318

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM

Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
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Inmos + 256MB Comparações de RAM

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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