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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Inmos + 256MB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Inmos + 256MB

総合得点
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

総合得点
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Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 11.5
    テスト平均値
Inmos + 256MB 考慮すべき理由
Inmos + 256MB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 60
    周辺 -100% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.1 left arrow 2,168.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    16800 left arrow 5300
    周辺 3.17 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Inmos + 256MB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    60 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    4,595.2 left arrow 11.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,168.2 left arrow 9.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 16800
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow no data
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    941 left arrow 2318

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