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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Inmos + 256MB
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Inmos + 256MB
総合得点
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
総合得点
Inmos + 256MB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
11.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Inmos + 256MB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
60
周辺 -100% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
9.1
2,168.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
16800
5300
周辺 3.17 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Inmos + 256MB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
60
30
読み出し速度、GB/s
4,595.2
11.5
書き込み速度、GB/秒
2,168.2
9.1
メモリ帯域幅、mbps
5300
16800
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
no data
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
941
2318
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAMの比較
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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