RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
44
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
44
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
10.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
2374
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link