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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
44
左右 34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
44
读取速度,GB/s
16.9
10.6
写入速度,GB/s
12.0
8.8
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
2374
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
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