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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
63
左右 -163% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.8
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
24
读取速度,GB/s
3,231.0
16.4
写入速度,GB/s
1,447.3
11.8
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
3005
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Team Group Inc. 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
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Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
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