RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
35
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
9.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
35
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
2502
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link