RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
36
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
11.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
36
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2445
3071
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link