RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
31
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2199
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link