RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
56
Wokół strony -155% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
2648
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link