RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
31
Por volta de 19% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
8.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
31
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
11.8
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
8.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
2199
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link