RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
60
81
Por volta de 26% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
13.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.0
2,168.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
81
Velocidade de leitura, GB/s
4,595.2
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,168.2
7.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
941
1523
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston X75V1H-MIE 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link