RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
38
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
14.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
10.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
38
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2445
2509
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link