RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
51
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
11.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
51
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2445
2778
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link