RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
36
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
36
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2445
2700
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link