RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
13.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
46
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
14.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
31
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
3008
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link