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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.6
13.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11% 更高的带宽
需要考虑的原因
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
46
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
14.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
31
读取速度,GB/s
14.2
16.7
写入速度,GB/s
13.6
13.4
内存带宽,mbps
21300
19200
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
3008
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
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