RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
60
Wokół strony 60% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
8.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
15.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
60
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2445
2145
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link