RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
11.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
27
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2445
3418
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link