RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2445
2347
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link