RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
41
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
8.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.8
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2394
3158
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link