RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB vs Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
45
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
45
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.8
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2394
2414
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMD16GX3M4A2800C11 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link