RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB vs Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
45
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
45
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.8
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2394
2414
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link